使用SMAL超高分辨率微球透镜及其他光学技术,对有缺陷的样品进行了成像,以研究这种氧化特征。氧化程度可以揭示出石墨烯膜在晶界处的孔隙度,从而洞悉制造和老化过程。

使用SMAL,我们可以对比不同晶体结构的铜,其在晶界处的氧化的差异。SMAL提供的更高分辨率可以在晶粒边界内看到顶部细节,并可进一步观察变色程度。SMAL显示,实际上在"b"中观察到的黑色轮廓是在"a"中观察到的被橙色变色区域所包围的。两个方框表示沉积在铜的两个不同晶域上的石墨烯。使用SMAL技术发现的证据表明,氧化可能发生在不同的时间范围内,具体取决于基底的基础晶体结构。氧化速率变化的原因可能是由于多种因素。GEIC仍在进一步研究铜基石墨烯单分子膜氧化过程。在Nanoro上使用SMAL获得的图像仍然是这项研究的主要贡献者。